芯片制造的關(guān)鍵工藝流程：10大步驟

1 沉積

 制造芯片的[敏感詞]步，通常是將材料薄膜沉積到晶圓上。材料可以是導(dǎo)體、絕緣體或半導(dǎo)體。

2 光刻膠涂覆

 進(jìn)行光刻前，首先要在晶圓上涂覆光敏材料“光刻膠”或“光阻”，然后將晶圓放入光刻機(jī)。

3 曝光

 在掩模版上制作需要印刷的圖案藍(lán)圖。晶圓放入光刻機(jī)后，光束會(huì)通過(guò)掩模版投射到晶圓上。光刻機(jī)內(nèi)的光學(xué)元件將圖案縮小并聚焦到光刻膠涂層上。在光束的照射下，光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，光罩上的圖案由此印刻到光刻膠涂層

       4 計(jì)算光刻

 光刻期間產(chǎn)生的物理、化學(xué)效應(yīng)可能造成圖案形變，因此需要事先對(duì)掩模版上的圖案進(jìn)行調(diào)整，確保最終光刻圖[敏感詞]。例如ASML將現(xiàn)有光刻數(shù)據(jù)及圓晶測(cè)試數(shù)據(jù)整合，制作算法模型，[敏感詞]調(diào)整圖案。

5 烘烤與顯影

 晶圓離開光刻機(jī)后，要進(jìn)行烘烤及顯影，使光刻的圖案[敏感詞]固定。洗去多余光刻膠，部分涂層留出空白部分。

6 刻蝕

 顯影完成后，使用氣體等材料去除多余的空白部分，形成3D電路圖案。

 
      7 計(jì)量和檢驗(yàn)

 芯片生產(chǎn)過(guò)程中，始終對(duì)晶圓進(jìn)行計(jì)量和檢驗(yàn)，確保沒有誤差。檢測(cè)結(jié)果反饋至光刻系統(tǒng)，進(jìn)一步優(yōu)化、調(diào)整設(shè)備。這一部，就需要用到納米級(jí)超精密運(yùn)動(dòng)平臺(tái)這一關(guān)鍵設(shè)備了。

      9 視需要重復(fù)制程步驟

 從薄膜沉積到去除光刻膠，整個(gè)流程為晶圓片覆蓋上一層圖案。而要在晶圓片上形成集成電路，完成芯片制作，這一流程需要不斷重復(fù)，可多達(dá)100次。

 
     10 封裝芯片

 最后一步，運(yùn)用超精密運(yùn)動(dòng)平臺(tái)，進(jìn)行晶圓切割，獲得單個(gè)芯片，封裝在保護(hù)殼中。這樣，成品芯片就可以用來(lái)生產(chǎn)電視、平板電腦或者其他數(shù)字設(shè)備了！