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COC共晶機
1.PH-550 是 COB,COC 制程中將基底與芯片，在 CDD 定位后經過控制溫度曲線熔化焊料從而鍵合在一起 的共晶設備。
2.設備主要由共晶臺，貼片機械手，晶圓臺（含晶 片盒），下校準臺，上下料機械手等組成。
3.共晶臺包含 X、Y、T 三軸系統組成，上面設置共 晶加熱模塊，氮氣保護系統。
4.貼片機械手包含 X、Y、Z、T 四軸機構，對芯片 的位置，角度校準。
5.芯片校準臺包含 X、Y、T 三軸機構，對芯片上表 面進行識別，保證貼片精度。
6.共晶模塊采用脈沖加熱方式，溫度可分段設定， 溫度升降及焊接時間可精準控制。
一、 基本功能
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項目 |
內容 |
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共晶產品 |
COC |
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基底上料方式 |
2寸料盒 |
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晶片上料方式 |
熱沉 |
6寸晶圓,兼容一個2寸Waffle PAK |
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芯片 |
6寸晶圓，兼容一個2寸Gel PAK |
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共晶臺 |
1 |
脈沖共晶臺 |
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共晶方式 |
逐個共晶 |
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共晶效率 |
單顆20秒左右（基底+熱沉+LD芯片） |
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二、 控制部分
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項目 |
內容 |
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操作界面 |
圖形用戶界面，無線鍵鼠操作+獨立啟停按鈕 |
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全機初始化 |
界面按鈕 |
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氣缸控制 |
界面按鈕 |
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傳感器狀態檢查 |
界面按鈕 |
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運動軸位置檢查 |
界面控制 |
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速度調整 |
界面控制 |
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生產信息 |
界面顯示 |
三、 圖像識別
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項目 |
內容 |
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CCD數量 |
6套 |
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CCD用途 |
熱沉晶圓定位 |
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熱沉底部定位 |
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芯片晶圓定位 |
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芯片正面校準定位 |
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共晶臺定位 |
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CCD對焦方式 |
機械手動調節 |
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CCD分辨率 |
1280×960 |
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CCD鏡頭 |
變倍鏡頭：0.6 - 7倍 |
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CCD相機 |
130萬像素 |
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光源 |
同軸光源 |
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外置LED環形光 |
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光源亮度調整 |
可獨立調整識別/觀察亮度 |
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識別方式 |
邊沿識別，特征教導，相似度設定 |
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角度識別范圍 |
0~360° |
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角度辨識錯誤率 |
≤1‰ |
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模板特征編輯 |
可擦除遮蔽干擾特征 |
四、 機械手部分
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項目 |
內容 |
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吸嘴切換 |
手動更換 |
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吸頭材質 |
金屬吸嘴，電木吸嘴 |
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機械手指定 |
LD拾取機械手 |
從晶圓拾取LD芯片，放置校準臺 |
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LD共晶機械手 |
從校準臺拾取LD芯片，貼放共晶 |
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熱沉拾取貼片機械手 |
從熱沉晶圓拾取熱沉，貼放共晶 |
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管座拾放機械手 |
從管座料盤取放管座 |
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定位重復精度 |
X軸 |
±1 um |
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Y軸 |
± 1 um |
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Z軸 |
± 2 um |
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θ軸 |
± 0.01° |
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電機類型 |
X軸 |
直線電機 |
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Y軸 |
直線電機 |
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Z軸 |
步進電機 |
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θ軸 |
步進電機 |
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取置壓力控制方式 |
吸頭自重+彈簧 |
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取置壓力范圍 |
拉力彈簧，壓力范圍10~200g（更換拉簧規格） |
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五、 脈沖共晶臺部分
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項目 |
內容 |
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共晶方式 |
脈沖加熱 |
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共晶面積范圍 |
20x20 mm |
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共晶工作臺 |
X軸 |
± 2 um |
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Y軸 |
± 2 um |
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Z軸 |
----------- |
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θ軸 |
范圍±10°精度± 0.01° |
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電機類型 |
X軸 |
伺服電機 |
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Y軸 |
伺服電機 |
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Z軸 |
----------- |
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θ軸 |
步進電機 |
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共晶臺加熱 |
電流脈沖 分段加熱 |
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共晶臺冷卻 |
風冷 |
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加熱速度 |
150°/sec |
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環境保護 |
氮氣環境 |
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六、 基底上下料部分
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項目 |
內容 |
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機械手 |
X軸 |
± 2 um |
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Y軸 |
± 2 um |
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Z軸 |
± 2 um |
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θ軸 |
----------- |
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電機類型 |
X軸 |
伺服電機 |
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Y軸 |
伺服電機 |
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Z軸 |
步進電機 |
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θ軸 |
----------- |
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吸嘴 |
手動更換 |
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上下料方式 |
逐個取放 |
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料盒 |
兩個，2寸 |
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七、 電氣需求
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項目 |
內容 |
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電力 |
電源類型 |
交流 |
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電壓 |
220V |
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相數 |
單相 |
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功率（峰時） |
6000W |
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壓縮空氣 |
0.5 ~ 0.7MPa |
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真空 |
氣壓范圍 |
60 ~90kPa |
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重量 |
1500kg |
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其它 |
氮氣 |
吸嘴及共晶臺 |
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壓縮空氣過濾器 |
部件 |
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真空過濾器 |
部件 |
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環境溫度要求 |
26℃ |
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環境振動要求 |
VC-D |
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設備噪音 |
<50分貝 |
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真空泵噪音 |
<60分貝 |
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八、 附件一（隨機資料）
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項目 |
內容 |
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說明書——中文操作說明書 |
紙質版、電子版各一份/臺 |
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圖紙——電路圖 |
電子版1份 |
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圖紙——氣路圖 |
電子版1份 |
九、 附件二 （參數）
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設備尺寸 |
X1640×Y1420×Z1840(mm) |
重量 |
1500KG |
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功率（峰時） |
6KW |
氣壓 |
0.5～0.7MP |
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電壓 |
220W |
生產效率 |
單顆20秒左右（基底+熱沉+LD芯片） |
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位置精度 |
±2μm |
角度精度 |
±0.01° |
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固晶壓力 |
10～200g |
晶圓尺寸 |
6"×2(tray 2"X2") |
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共晶臺面尺寸 |
20x20 mm |
芯片尺寸 |
0.2～2mm(其它尺寸需選配）
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